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STD3PK50	文件：332.9 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·ATXandGamingPowerSupplies ·SwitchSupplies ·SynchronousRectificationinSMPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STD3PK50

文件：332.9 Kbytes

Page：2 Pages

N-Channel MOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·ATXandGamingPowerSupplies ·SwitchSupplies ·SynchronousRectificationinSMPS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

STD3PK50Z

文件：740.12 Kbytes

Page：15 Pages

P-channel 500 V, 3 廓 typ., 2.8 A Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET in a DPAK package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD3PK50
功能描述：
MOSFET P-Ch 500V 3 Ohm 2.8A Zener SuperMESH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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