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STD5N52U	文件：943.32 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 525 V, 1.28 ohm, 4.4 A, DPAK, TO-220FP, I2PAK UltraFASTmesh Power MOSFET Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using UltraFASTmesh™ technology, which combines the advantages of reduced on resistance, Zener gate protection and very high dv/dt capability with an enhanced fast body-drain recovery diode. Features ■ 100 avalanche tested ■ Outst 文件：943.32 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD5N52U	文件：1.07811 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.07811 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD5N52U	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道525 V、1.28 Ohm、4.4 A UltraFASTmesh(TM) 功率MOSFET，DPAK封装 This device is N-channel Power MOSFET developed using UltraFASTmesh technology, which combines the advantages of reduced on resistance, Zener gate protection and very high dv/dt capability with an enhanced fast body-drain recovery diode. • Outstanding dv/dt capability \n• Gate charge minimized \n• Very low intrinsic capacitances \n• Very low RDS(on) \n• Extremely low trr;	ST 意法半导体	ST
STF5N52U	文件：943.32 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 525 V, 1.28 ohm, 4.4 A, DPAK, TO-220FP, I2PAK UltraFASTmesh Power MOSFET Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using UltraFASTmesh™ technology, which combines the advantages of reduced on resistance, Zener gate protection and very high dv/dt capability with an enhanced fast body-drain recovery diode. Features ■ 100 avalanche tested ■ Outst 文件：943.32 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF5N52U	文件：318.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 525V(Min) -RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：318.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STF5N52U	文件：548.06 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 525 V, 1.25 Ω typ., 4.4 A, UltraFASTmesh™ Power MOSFET in a TO-220FP package Features Outstanding dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Very low RDS(on) Extremely low trr Applications Switching applications Description This device is N-channel Power MOSFET developed using UltraFASTmesh™ technology, which combines the advantage 文件：548.06 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
DPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
525
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
1.5
Drain Current (Dc)_max(A)：
4.4
PTOT_max(W)：
70
Qg_typ(nC)：
16.9
Features：
Fast diode
Reverse Recovery Time_typ(ns)：
55
Qrr_typ(nC)：
95
Peak Reverse Current_nom(A)：
3.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STD5N52U	ST/意法	25+	TO252	32360	ST/意法全新特价STD5N52U即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	STD5N52U	ST		SOT-252	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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更多STD5N52U供应商更新时间2025-10-4 9:05:00

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