isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 1.25Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-channel 950 V, 1 廓 typ., 9 A Zener-protected SuperMESH??5 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 and IPAK

文件：1.22735 Mbytes 页数：23 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：248.35 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 采用DPAK封装，额定电压为950 V，具有全球领先的 RDS(on) \n• 全球出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体