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STD5N62K3	文件：299.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 1.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STD5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET Description These devices are made using the SuperMESH3™ Power MOSFET technology that is obtained via improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology combined with a new optimized vertical structure. The resulting product has an extremely low on resistance, superior dynamic perf 文件：1.1786 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD5N62K3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道620 V、1.28 Ohm典型值、4.2 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装 These MDmesh™ K3 Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ MDmesh™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable f • 100% avalanche tested \n• Extremely high dv/dt capability \n• Very low intrinsic capacitance \n• Improved diode reverse recovery characteristics \n• Zener-protected;	ST 意法半导体	ST
STF5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET Description These devices are made using the SuperMESH3™ Power MOSFET technology that is obtained via improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology combined with a new optimized vertical structure. The resulting product has an extremely low on resistance, superior dynamic perf 文件：1.1786 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF5N62K3	文件：318.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 1.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：318.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET Description These devices are made using the SuperMESH3™ Power MOSFET technology that is obtained via improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology combined with a new optimized vertical structure. The resulting product has an extremely low on resistance, superior dynamic perf 文件：1.1786 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
DPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
620
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
1.6
Drain Current (Dc)_max(A)：
4.2
PTOT_max(W)：
70
Qg_typ(nC)：
26

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