STD5N62K3中文资料N沟道620 V、1.28 Ohm典型值、4.2 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD5N62K3规格书详情
描述 Description
These MDmesh™ K3 Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ MDmesh™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD5N62K3
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：620
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.6
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.2
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：26
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
43200 |
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ST |
19+ |
TO252 |
16700 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
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ST/意法半导体 |
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TO-252-3 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
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22+ |
NA |
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STMicroelectronics |
24+ |
NA |
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询价 | ||
24+ |
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ST/意法 |
19+18 |
TO-252 |
36450 |
只做原装正品 |
询价 |
