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STD5N60M2中文资料N沟道600 V、1.3 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STD5N60M2

功能描述

N沟道600 V、1.3 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2026-2-2 11:30:00

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STD5N60M2规格书详情

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.

特性 Features

• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

技术参数

  • 制造商编号

    :STD5N60M2

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :1.4

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :3.5

  • PTOT_max(W)

    :45

  • Qg_typ(nC)

    :8.5

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