STD5N60M2中文资料N沟道600 V、1.3 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD5N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD5N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.4
- Drain Current (Dc)_max(A)
：3.5
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：8.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
18+ |
TO-252 |
85600 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
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询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-252-3 |
16900 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
16900 |
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22+ |
NA |
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24+ |
N/A |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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询价 |
