STD5N52U数据手册ST中文资料规格书
STD5N52U规格书详情
描述 Description
This device is N-channel Power MOSFET developed using UltraFASTmesh technology, which combines the advantages of reduced on resistance, Zener gate protection and very high dv/dt capability with an enhanced fast body-drain recovery diode.
特性 Features
• Outstanding dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• Very low RDS(on)
• Extremely low trr
技术参数
- 制造商编号
：STD5N52U
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：525
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.4
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：16.9
- Features
：Fast diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：55
- Qrr_typ(nC)
：95
- Peak Reverse Current_nom(A)
：3.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
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