STD5N52K3中文资料N沟道525 V、1.2 Ohm典型值、4.4 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD5N52K3规格书详情
描述 Description
This MDmesh K3 Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics’ MDmesh technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD5N52K3
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：525
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.4
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICRO |
25+ |
N/A |
21000 |
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ST |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
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STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
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ST(意法半导体) |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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