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STD5N60DM2中文资料N沟道600 V、1.38 Ohm典型值、3.5 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD5N60DM2规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD5N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.55
- Drain Current (Dc)_max(A)
：3.5
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：5.3
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：58
- Qrr_typ(nC)
：109
- Peak Reverse Current_nom(A)
：4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-252-3 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
12820 |
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询价 | ||
STM |
1815+ |
TO-252 |
498 |
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ST/意法 |
2450+ |
NA |
9850 |
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SST |
原厂封装 |
9800 |
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ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
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ST/意法 |
23+ |
11200 |
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询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 |
