Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications

High Speed Switching Applications • 1.8V drive • Low on-resistance: Ron = 363mΩ (max) (@VGS = −1.8 V) Ron = 230mΩ (max) (@VGS = −2.5 V) Ron = 158mΩ (max) (@VGS = −4.0 V)

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TOSHIBA

东芝

Small-signal MOSFET

Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅢ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Drain current ID -1.8 A \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V ;

Toshiba

东芝

UFM-3

TOSHIBA

东芝

上传：深圳市金嘉锐电子有限公司

TOSHIBA

东芝

上传：深圳市三芯电子有限公司

CST3

TOSHIBA

东芝

上传：深圳市创芯联盈电子有限公司