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SSM3J36MFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：P-ch\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current ID -0.33 A \nPower Dissipation PD 0.15 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM3J36MFV	文件：184.46 Kbytes Page：5 Pages	丝印：PX；Package：2-1L1B；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 文件：184.46 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J36TU	文件：186.77 Kbytes Page：5 Pages	Power Management Switches 文件：186.77 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J36FS	文件：1.01074 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.01074 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSM3J36FS	文件：191.22 Kbytes Page：5 Pages	Power Management Switches 文件：191.22 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

Product Category：
Small Low ON resistance MOSFETs
Package name(Toshiba)：
VESM
Recommended Product 1：
SSM3J56MFV(Almost same package but similar characteristics)

更多SSM3J36MFV供应商更新时间2026-1-26 15:31:00