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SSM3J36FS	文件：191.22 Kbytes Page：5 Pages	Power Management Switches 文件：191.22 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J36FS	文件：1.01074 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.01074 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSM3J36FS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：P-ch\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current ID -0.33 A \nPower Dissipation PD 0.15 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM3J36MFV	文件：184.46 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 文件：184.46 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J36TU	文件：186.77 Kbytes Page：5 Pages	Power Management Switches 文件：186.77 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Package name(Toshiba)：
SSM
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.7
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-20
ID(A)：
-0.33
=4.5V：
1.31
Qg(nC)：
1.2
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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