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SSM3J108TU数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM3J108TU

功能描述

Small-signal MOSFET

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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SSM3J108TU规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅢ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

特性 Features

Drain current ID -1.8 A
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-8 V

技术参数

  • 型号:

    SSM3J108TU

  • 功能描述:

    MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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