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SSM3J09FU数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM3J09FU

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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SSM3J09FU规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current ID -0.2 A
Power Dissipation PD 0.15 W
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM3J09FU

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-30

  • VGSS(V)

    :+/-20

  • ID(A)

    :-0.2

  • PD(W)

    :0.15

  • Ciss(pF)

    :22

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V

    :4.2

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :2.7

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :USM

  • Generation

    :π-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.1 x 0.9

  • Package Size(mm^2)

    :4.20

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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