SSM3J09FU中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3J09FU规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Drain current ID -0.2 A
Power Dissipation PD 0.15 W
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 制造商编号
：SSM3J09FU
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：P-ch
- VDSS(V)
：-30
- VGSS(V)
：+/-20
- ID(A)
：-0.2
- PD(W)
：0.15
- Ciss(pF)
：22
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
：4.2
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：2.7
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：USM
- Generation
：π-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
：2.0 x 2.1 x 0.9
- Package Size(mm^2)
：4.20
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
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