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SSM3J110TU

Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications

High Speed Switching Applications • 1.8V drive • Low on-resistance: Ron = 240mΩ (max) (@VGS = −1.8 V) Ron = 145mΩ (max) (@VGS = −2.5 V) Ron = 94mΩ (max) (@VGS = −4.0 V)

文件:143.4 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3J110TU

Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications

Toshiba

东芝

SSM3J135TULF(B

UFM-3

SSM3J35CTC,L3F

TOSHIBA

东芝

上传:深圳市三芯电子有限公司

SSM3K16CT

CST3

详细参数

  • 型号:

    SSM3J110TU

  • 功能描述:

    MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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