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SSM3J321T	文件：214.09 Kbytes Page：6 Pages	Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) ○PowerManagementSwitchApplications ○High-SpeedSwitchingApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:Ron=137mΩ(max)(@VGS=-1.5V) Ron=88mΩ(max)(@VGS=-1.8V) Ron=62mΩ(max)(@VGS=-2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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SSM3J321T

文件：214.09 Kbytes

Page：6 Pages

Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V)

○PowerManagementSwitchApplications ○High-SpeedSwitchingApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:Ron=137mΩ(max)(@VGS=-1.5V) Ron=88mΩ(max)(@VGS=-1.8V) Ron=62mΩ(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SSM3J321T

文件：1.58274 Mbytes

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SSM3J321T

文件：501.72 Kbytes

Page：9 Pages

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SSM3J321T
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type(U-MOS V)

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