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SSM3J56MFV	文件：196.91 Kbytes Page：6 Pages	Load Switching Applications ○ Load Switching Applications • 1.2 V drive • Low ON-resistance: RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON 文件：196.91 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J56MFV_14	文件：197.78 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI) 文件：197.78 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J56MFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current ID -0.8 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM3J56ACT	文件：263.8 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 文件：263.8 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSM3J56MFV供应商更新时间2026-2-2 9:04:00