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SSM3J56MFV中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

SSM3J56MFV

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-28 8:01:00

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SSM3J56MFV规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current ID -0.8 A
Power Dissipation PD 0.5 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-8 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM3J56MFV

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-20

  • VGSS(V)

    :+/-8

  • ID(A)

    :-0.8

  • PD(W)

    :0.15

  • Ciss(pF)

    :100

  • Qg(nC)

    :1.6

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V

    :4.0

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V

    :0.9

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V

    :0.66

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :0.48

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.39

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :VESM

  • Generation

    :U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.2 x 1.2 x 0.5

  • Package Size(mm^2)

    :1.44

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Toshiba
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VESM
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