SSM3J356R中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3J356R规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch
Generation：U-MOSⅥ
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：泰国
特性 Features
Drain current ID -2 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -60 V
Gate-Source voltage VGSS -20/+10 V
技术参数
- 制造商编号
：SSM3J356R
- 生产厂家
：Toshiba
- Life-cycle
：新产品
- Package name(Toshiba)
：SOT-23F
- Width×Length×Height(mm)
：2.9 x 2.4 x 0.8
- AEC-Q101
：Qualified(*)
- Polarity
：P-ch
- VDSS(V)
：-60
- ID(A)
：-2.0
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.36
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.3
- Qg(nC)
：8.3
- Tch(℃)
：150
- Drive voltage type
：Logic-Level Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA/东芝 |
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