SSM3J331R中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3J331R规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch
Generation：U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：泰国
特性 Features
Drain current ID -4 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-8 V
技术参数
- 制造商编号
：SSM3J331R
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：P-ch
- VDSS(V)
：-20
- VGSS(V)
：+/-8
- ID(A)
：-4.0
- PD(W)
：1.0
- Ciss(pF)
：630
- Qg(nC)
：10.4
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
：0.15
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
：0.1
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：0.075
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.055
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：SOT-23F
- Generation
：U-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
：2.9 x 2.4 x 0.8
- Package Size(mm^2)
：6.96
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
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