SSM3J326T数据手册Toshiba中文资料规格书
SSM3J326T规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch
Generation：U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Drain current ID -5.6 A
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-12 V
技术参数
- 制造商编号
：SSM3J326T
- 生产厂家
：Toshiba
- Product Category
：Small-signal MOSFET
- Package name(Toshiba)
：TSM
- Recommended Product 1
：SSM3J332R(Different package and similar characteristics)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
19760 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT-23 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT23 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT-23 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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SOT23 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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