SSM3J332R数据手册Toshiba中文资料规格书
SSM3J332R规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch
Generation：U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Drain current ID -6 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-12 V
技术参数
- 制造商编号
：SSM3J332R
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：P-ch
- VDSS(V)
：-30
- VGSS(V)
：+/-12
- ID(A)
：-6.0
- PD(W)
：1.0
- Ciss(pF)
：560
- Qg(nC)
：8.2
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
：0.144
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：0.072
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.05
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.042
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：SOT-23F
- Generation
：U-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
：2.9 x 2.4 x 0.8
- Package Size(mm^2)
：6.96
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
2016+ |
SOT23-3 |
3000 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT23 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT-23F |
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TOSHIBA |
21+ |
SOT23 |
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询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
22+ |
N/A |
3206 |
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询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-23 |
9000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
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NA |
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SOT23 |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT-23F |
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询价 |
