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SSM3J35CT数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM3J35CT

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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SSM3J35CT规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current ID -0.1 A
Power Dissipation PD 0.1 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-10 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM3J35CT

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-20

  • VGSS(V)

    :+/-10

  • ID(A)

    :-0.1

  • PD(W)

    :0.1

  • Ciss(pF)

    :12.2

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V

    :44

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V

    :22

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :11

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V

    :8.0

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :CST3

  • Generation

    :π-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.0 x 0.6 x 0.38

  • Package Size(mm^2)

    :0.60

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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