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SSM3J35MFV数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM3J35MFV

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:10:00

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SSM3J35MFV规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current ID -0.1 A
Power Dissipation PD 0.15 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-10 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM3J35MFV

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name(Toshiba)

    :VESM

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.2 x 1.2 x 0.5

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-20

  • ID(A)

    :-0.1

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V

    :44

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :11

  • Tch(℃)

    :150

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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