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SSM3J351R数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM3J351R

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:49:00

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SSM3J351R规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国

特性 Features

Drain current ID -3.5 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -60 V
Gate-Source voltage VGSS -20/+10 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM3J351R

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Life-cycle

    :新产品

  • Package name(Toshiba)

    :SOT-23F

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.9 x 2.4 x 0.8

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-60

  • ID(A)

    :-3.5

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.164

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.134

  • Qg(nC)

    :15.1

  • Tch(℃)

    :150

  • Drive voltage type

    :Logic-Level Gate Drive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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