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SSM3J35AMFV中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

SSM3J35AMFV

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 22:59:00

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SSM3J35AMFV规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国

特性 Features

Drain current ID -0.25 A
Power Dissipation PD 0.5 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-10 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM3J35AMFV

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-20

  • VGSS(V)

    :+/-10

  • ID(A)

    :-0.25

  • PD(W)

    :0.5

  • Ciss(pF)

    :21

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V

    :20

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V

    :4.0

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V

    :2.9

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :2.1

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :1.4

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :VESM

  • Generation

    :U-MOSⅦ

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.2 x 1.2 x 0.5

  • Package Size(mm^2)

    :1.44

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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