SSM3J355R中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3J355R规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch
Generation：U-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：泰国
特性 Features
Drain current ID -6 A
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-10 V
技术参数
- 制造商编号
：SSM3J355R
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：P-ch
- VDSS(V)
：-20
- VGSS(V)
：+/-10
- ID(A)
：-6.0
- PD(W)
：1.0
- Ciss(pF)
：1030
- Qg(nC)
：16.6
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
：0.0523
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：0.0388
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.0301
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：SOT-23F
- Generation
：U-MOSⅦ
- Width×Length×Height(mm)
：2.9 x 2.4 x 0.8
- Package Size(mm^2)
：6.96
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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