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SSM3J56ACT

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:P-ch\nGeneration:U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:泰国 Drain current ID -1.4 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V ;

Toshiba

东芝

SSM3J56ACT

丝印:SE;Package:CST3;MOSFETs Silicon P-Channel MOS

文件:263.8 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3J56MFV

Load Switching Applications

○ Load Switching Applications • 1.2 V drive • Low ON-resistance: RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON

文件:196.91 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3K16CT

TOSHIBA
CST3

SSM3K333RMOS(场效应管)

TOSHIBA/东芝
-

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

技术参数

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -20

  • VGSS(V):

    +/-8

  • ID(A):

    -1.4

  • PD(W):

    0.5

  • Ciss(pF):

    100

  • Qg(nC):

    1.6

  • =1.2V:

    4.0

  • =1.5V:

    0.9

  • =1.8V:

    0.66

  • =2.5V:

    0.48

  • =4.5V:

    0.39

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    CST3

  • Generation:

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm):

    1.0 x 0.6 x 0.38

  • Package Size(mm^2):

    0.60

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
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更多SSM3J56ACT供应商 更新时间2025-10-11 15:01:00