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SSM3J16FV	文件：175.61 Kbytes Page：5 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low on-resistance : RDS(ON) = 8 Ω (max) (@VGS = −4 V) : RDS(ON) = 12 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) : RDS(ON) = 45 Ω (max) (@VGS = −1.5 V) 文件：175.61 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J16FV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：P-ch\nGeneration：π-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current ID -0.1 A \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-10 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM3J16TE	文件：180.1 Kbytes Page：5 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low on-resistance : Ron = 8 Ω (max) (@VGS = −4 V) : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) : Ron = 45 Ω (max) (@VGS = −1.5 V) 文件：180.1 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J16CT	文件：196.53 Kbytes Page：5 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low on-resistance : RDS(ON) = 8 Ω (max) (@VGS = −4 V) : RDS(ON) = 12 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) : RDS(ON) = 45 Ω (max) (@VGS = −1.5 V) 文件：196.53 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J16FS	文件：179.48 Kbytes Page：5 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low on-resistance : RDS(ON) = 8 Ω (max) (@VGS = −4 V) : RDS(ON) = 12 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) : RDS(ON) = 45 Ω (max) (@VGS = −1.5 V) 文件：179.48 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J16FU	文件：216.92 Kbytes Page：5 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low on-resistance : RDS(ON) = 8 Ω (max) (@VGS = −4 V) : RDS(ON) = 12 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) : RDS(ON) = 45 Ω (max) (@VGS = −1.5 V) 文件：216.92 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-20
VGSS(V)：
+/-10
ID(A)：
-0.1
PD(W)：
0.15
Ciss(pF)：
11
=1.5V：
45
=2.5V：
12
=4V：
8.0
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
VESM
Generation：
π-MOSⅥ
Width×Length×Height(mm)：
1.2 x 1.2 x 0.5
Package Size(mm^2)：
1.44
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

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