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SSM3K15FU	文件：202.77 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Switching Applications 文件：202.77 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K15FU	文件：241.79 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Switching Applications 文件：241.79 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K15FU	文件：1.01484 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01484 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSM3K15FU_07	文件：202.77 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Switching Applications 文件：202.77 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K15FU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current ID 0.1 A \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Package name(Toshiba)：
USM
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
30
ID(A)：
0.1
=2.5V：
7.0
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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