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SSM3J334R

P-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SSM3J334R

TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications LowON-resistance:RDS(ON)=71mΩ(max)(@VGS=-10V) RDS(ON)=105mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=136mΩ(max)(@VGS=-4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

SSM3J334R

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

SSM3J334R

TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications ​​​​​​​ •LowON-resistance:RDS(ON)=71mΩ(max)(@VGS=-10V) RDS(ON)=105mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=136mΩ(max)(@VGS=-4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

详细参数

  • 型号:

    SSM3J334R,LF

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SSM3J334R,LF供应商 更新时间2025-5-27 10:31:00