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SSM3J332R	文件：364.1 Kbytes Page：7 Pages	P−CHANNELMOSFET FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SSM3J332R	文件：463.34 Kbytes Page：7 Pages	P−CHANNELMOSFET FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON)46m(VGS=-10V) RDS(ON)54m(VGS=-4.5V) APPLICATIONS ForMobileComputing LoadSwitch NotebookAdaptorSwitch DC/DCConverter	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SSM3J332R	文件：351.56 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSVI) ○PowerManagementSwitchApplications •1.8-Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=144mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=72.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=50.0mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=42.0mΩ(max)(@VGS=-10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3J332R	文件：1.04867 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSM3J332R	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3J332R	文件：216.21 Kbytes Page：6 Pages	PowerManagementSwitchApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
SSM3J332R,LF
功能描述：
MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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