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SSM3J108TU中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM3J108TU
厂商型号

SSM3J108TU

功能描述

Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications

文件大小

143.46 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 22:50:00

SSM3J108TU规格书详情

High Speed Switching Applications

• 1.8V drive

• Low on-resistance: Ron = 363mΩ (max) (@VGS = −1.8 V)

Ron = 230mΩ (max) (@VGS = −2.5 V)

Ron = 158mΩ (max) (@VGS = −4.0 V)

产品属性

  • 型号:

    SSM3J108TU

  • 功能描述:

    MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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