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RJP30E2DPP-M0	文件：158.83 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 1. Trench gate technology (G5H series) 2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ 3. High speed switching tf = 150 ns typ 4. Low leak current ICES= 1 μA max 5. Isolated package TO-220FL 文件：158.83 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP30E2DPP-M0	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas
SRBC-30E2AL	文件：754.36 Kbytes Page：22 Pages	Non-Isolated DC-DC Converter 文件：754.36 Kbytes 页数：22 Pages	BEL	BEL
SRBC-30E2AL	文件：275.68 Kbytes Page：8 Pages	NON-ISOLATED DC/DC CONVERTERS 文件：275.68 Kbytes 页数：8 Pages	BEL	BEL
SRBC-30E2AL	文件：256.49 Kbytes Page：9 Pages	6 Vdc - 14 Vdc Input 0.8 Vdc - 3.63 Vdc/25 A or 30 A Output 文件：256.49 Kbytes 页数：9 Pages	BEL	BEL

详细参数

型号：
RJP30E2DPP
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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深圳市威尔健半导体有限公司	RJP30E3	RENESAS/瑞萨	23+	TO-3P	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多RJP30E2DPP供应商更新时间2026-1-18 14:01:00

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