RGT8TM65D中文资料短路耐量 5µs, 650V 4A,内置快速反向恢复二极管, TO-220NFM, 沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书

描述 Description

RGT8TM65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适合逆变器、UPS、功率调节器、焊接等用途。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 5μs
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

简介

RGT8TM65D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGT8TM65D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。