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RGT60TS65D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
RGT60TS65D |
| 参数属性 | RGT60TS65D 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650 |
| 功能描述 | 短路耐量 5µs, 650V 30A,内置快速反向恢复二极管, TO-247GE, 沟槽式场截止型 IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | RGT60TS65D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RGT60TS65D规格书详情
描述 Description
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。
特性 Features
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：RGT60TS65D
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-247GE
- 包装数量
：600
- 最小独立包装数量
：30
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Series
：T: For inverter (tsc 5µs)
- VCES [V]
：650
- IC(100°C)[A]
：30
- VCE(sat) (Typ.) [V]
：1.65
- tf(Typ.) [ns]
：60
- tsc(Min.) [us]
：5
- Built-in Diode
：FRD
- Pd [W]
：194
- BVCES (Min.)[V]
：650
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：15.94x20.95 (t=5.02)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
TO2473 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ROHM |
1844+ |
9852 |
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询价 | |||
ROHM |
21+ |
TO-247N |
450 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
5400 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||||
ROHM Semiconductor |
23+ |
30 |
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询价 | |||
Rohm Semiconductor |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ROHM |
25+ |
TO-252 |
20000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO252 |
17751 |
原装正品现货 |
询价 | ||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
