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RGT16BM65D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
RGT16BM65D |
| 参数属性 | RGT16BM65D 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT |
| 功能描述 | 短路耐量 5µs, 650V 8A,内置快速反向恢复二极管, TO-252, 沟槽式场截止型 IGBT |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 17:38:00 |
| 人工找货 | RGT16BM65D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RGT16BM65D规格书详情
描述 Description
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。
特性 Features
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 5µs
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：RGT16BM65D
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-252
- 包装数量
：2500
- 最小独立包装数量
：2500
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Series
：T: For inverter (tsc 5µs)
- VCES [V]
：650
- IC(100°C)[A]
：8
- VCE(sat) (Typ.) [V]
：1.65
- tf(Typ.) [ns]
：95
- tsc(Min.) [us]
：5
- Built-in Diode
：FRD
- Pd [W]
：94
- BVCES (Min.)[V]
：650
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：6.6x10 (t=2.2)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
21+ |
- |
50 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
ROHM Semiconductor |
23+ |
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Rohm Semiconductor |
25+ |
TO-252-3 DPak(2 引线 + 接片 |
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO263 |
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原装正品现货 |
询价 | ||
ROHM |
SMDDIP |
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Rohm Semiconductor |
22+ |
LPDS (TO263S) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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Rohm Semiconductor |
2022+ |
LPDS(TO-263S) |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
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TO263 |
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询价 | ||
ROHM Semiconductor |
1710 |
295 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 |
