RGT16BM65D中文资料短路耐量 5µs, 650V 8A,内置快速反向恢复二极管, TO-252, 沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书

描述 Description

罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。

特性 Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 5µs
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant

简介

RGT16BM65D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGT16BM65D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。