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RGT16BM65D

短路耐量 5µs, 650V 8A,内置快速反向恢复二极管, TO-252, 沟槽式场截止型 IGBT

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。 • Low Collector-Emitter Saturation Voltage\n• Low Switching Loss\n• Short Circuit Withstand Time 5µs\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)\n• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGT16BM65D

650V 8A Field Stop Trench IGBT

文件:943.68 Kbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGT16BM65DTL

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-252

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    T

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    8

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.65

  • tf(Typ.) [ns]:

    95

  • tsc(Min.) [us]:

    5

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    94

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    6.6x10 (t=2.2)

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更多RGT16BM65D供应商 更新时间2026-2-2 11:06:00