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RGSX5TS65DHR数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
RGSX5TS65DHR |
| 参数属性 | RGSX5TS65DHR 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V |
| 功能描述 | 短路耐受时间8µs, 650V 75A, 内置FRD, 车载用 Field Stop Trench IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 18:25:00 |
| 人工找货 | RGSX5TS65DHR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RGSX5TS65DHR规格书详情
描述 Description
RGSX5TS65DHR是短路耐受时间为8µs、非常适用于车载和工业设备中的通用逆变器的产品。符合AEC-Q101标准。
特性 Features
• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Short Circuit Withstand Time 8μs
• Qualified to AEC-Q101
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：RGSX5TS65DHR
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-247N
- 包装数量
：450
- 最小独立包装数量
：30
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Series
：S: For inverter (tsc 8-10µs)
- VCES [V]
：650
- IC(100°C)[A]
：75
- VCE(sat) (Typ.) [V]
：1.7
- tf(Typ.) [ns]
：87
- tsc(Min.) [us]
：8
- Built-in Diode
：FRD
- Pd [W]
：404
- BVCES (Min.)[V]
：650
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：16x21 (t=5.2)
- Common Standard
：AEC-Q101 (Automotive Grade)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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