RGSX5TS65DHR中文资料短路耐受时间8µs, 650V 75A, 内置FRD, 车载用 Field Stop Trench IGBT数据手册ROHM规格书

描述 Description

RGSX5TS65DHR是短路耐受时间为8µs、非常适用于车载和工业设备中的通用逆变器的产品。符合AEC-Q101标准。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Short Circuit Withstand Time 8μs
• Qualified to AEC-Q101
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

简介

RGSX5TS65DHR属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGSX5TS65DHR晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。