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RGT16NS65D(TO-262)数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

RGT16NS65D(TO-262)

功能描述

短路耐量 5µs, 650V 8A,内置快速反向恢复二极管, TO-262, 沟槽式场截止型 IGBT

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 17:57:00

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RGT16NS65D(TO-262)规格书详情

描述 Description

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

特性 Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :RGT16NS65D(TO-262)

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-262

  • 包装数量

    :1000

  • 最小独立包装数量

    :50

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :T: For inverter (tsc 5µs)

  • VCES [V]

    :650

  • IC(100°C)[A]

    :8

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.65

  • tf(Typ.) [ns]

    :95

  • tsc(Min.) [us]

    :5

  • Built-in Diode

    :FRD

  • Pd [W]

    :94

  • BVCES (Min.)[V]

    :650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :10.1x9 (t=4.7)

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