首页>RGT30NL65D>规格书详情
RGT30NL65D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
RGT30NL65D |
| 参数属性 | RGT30NL65D 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：FIELD STOP TRENCH IGBT |
| 功能描述 | 短路耐量 5µs, 650V 15A,内置快速反向恢复二极管, LPDL, 沟槽式场截止型 IGBT |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 原厂标识 | ROHM |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | RGT30NL65D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RGT30NL65D规格书详情
描述 Description
RGT30NL65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适合逆变器、UPS、功率调节器、焊接等用途。
特性 Features
• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 5μs
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：RGT30NL65D
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：LPDL
- 包装数量
：1000
- 最小独立包装数量
：1000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Series
：T: For inverter (tsc 5µs)
- VCES [V]
：650
- IC(100°C)[A]
：15
- VCE(sat) (Typ.) [V]
：1.65
- tf(Typ.) [ns]
：75
- tsc(Min.) [us]
：5
- Built-in Diode
：FRD
- Pd [W]
：133
- BVCES (Min.)[V]
：650
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：10.1x15.1 (t=4.7)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm(罗姆) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ROHM(罗姆) |
24+ |
TO263 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ROHM |
21+ |
LPDS;TO-263(D2-PAK) |
1000 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ROHM Semiconductor |
23+ |
35 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
22+ |
LPDS (TO263S) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
2022+ |
LPDS(TO-263S) |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ROHM Semiconductor |
1608 |
35 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 |
