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RGT16TM65D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

RGT16TM65D

参数属性

RGT16TM65D 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

短路耐量 5µs, 650V 8A,内置快速反向恢复二极管, TO-220NFM, 沟槽式场截止型 IGBT

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

原厂标识
ROHM
数据手册

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更新时间

2025-8-4 14:16:00

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RGT16TM65D规格书详情

描述 Description

RGT16TM65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适合逆变器、UPS、功率调节器、焊接等用途。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 5μs
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :RGT16TM65D

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-220NFM

  • 包装数量

    :1000

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :T: For inverter (tsc 5µs)

  • VCES [V]

    :650

  • IC(100°C)[A]

    :5

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.65

  • tf(Typ.) [ns]

    :95

  • tsc(Min.) [us]

    :5

  • Built-in Diode

    :FRD

  • Pd [W]

    :22

  • BVCES (Min.)[V]

    :650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :10x15 (t=4.7)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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