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RGT16TM65D	文件：300 bytes Page：1 Pages	短路耐量 5µs, 650V 8A,内置快速反向恢复二极管, TO-220NFM, 沟槽式场截止型 IGBT RGT16TM65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适合逆变器、UPS、功率调节器、焊接等用途。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Low Switching Loss\n• Short Circuit Withstand Time 5μs\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RGT16TM65D	文件：1.5607 Mbytes Page：13 Pages	650V 8A Field Stop Trench IGBT 文件：1.5607 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RGT16TM65DGC9	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：FIELD STOP TRENCH IGBT	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-220NFM
包装数量：
1000
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Series：
T
VCES [V]：
650
IC(100°C)[A]：
5
VCE(sat) (Typ.) [V]：
1.65
tf(Typ.) [ns]：
95
tsc(Min.) [us]：
5
Built-in Diode：
FRD
Pd [W]：
22
BVCES (Min.)[V]：
650
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
10x15 (t=4.7)

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