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RGT30TM65D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
RGT30TM65D规格书详情
描述 Description
RGT30TM65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适合逆变器、UPS、功率调节器、焊接等用途。
特性 Features
• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 5μs
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：RGT30TM65D
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-220NFM
- 包装数量
：1000
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Series
：T: For inverter (tsc 5µs)
- VCES [V]
：650
- IC(100°C)[A]
：8
- VCE(sat) (Typ.) [V]
：1.65
- tf(Typ.) [ns]
：75
- tsc(Min.) [us]
：5
- Built-in Diode
：FRD
- Pd [W]
：32
- BVCES (Min.)[V]
：650
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：10x15 (t=4.7)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM/罗姆 |
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询价 |
