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RGT50NS65DGTL中文资料IGBT管数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RGT50NS65DGTL

参数属性

RGT50NS65DGTL 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT

功能描述

IGBT管
IGBT

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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RGT50NS65DGTL规格书详情

简介

RGT50NS65DGTL属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGT50NS65DGTL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RGT50NS65DGTL

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 集射极击穿电压(最大值)

    :650V

  • 类型

    :沟槽型场截止

  • CE饱和电流(最大值)

    :2.1V @ 15V,25A

  • 栅极阈值电压-VGE(th)

    :7V @ 17.5A

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