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RGT50NS65DGTL规格书详情
简介
RGT50NS65DGTL属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGT50NS65DGTL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:RGT50NS65DGTL
- 生产厂家
:ROHM
- 集射极击穿电压(最大值)
:650V
- 类型
:沟槽型场截止
- CE饱和电流(最大值)
:2.1V @ 15V,25A
- 栅极阈值电压-VGE(th)
:7V @ 17.5A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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