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RGT8NS65DGTL数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
RGT8NS65DGTL |
| 参数属性 | RGT8NS65DGTL 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
| 功能描述 | IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 原厂标识 | ROHM |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 20:00:00 |
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技术参数
- 产品编号：
RGT8NS65DGTL
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，4A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/69ns
- 测试条件：
400V，4A，50欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
LPDS
- 描述：
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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