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RGT8NS65DGTL中文资料IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench数据手册ROHM规格书
| 厂商型号 |
RGT8NS65DGTL |
| 参数属性 | RGT8NS65DGTL 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
| 功能描述 | IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-2 20:00:00 |
| 人工找货 | RGT8NS65DGTL价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RGT8NS65DGTL规格书详情
简介
RGT8NS65DGTL属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGT8NS65DGTL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
RGT8NS65DGTL
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，4A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/69ns
- 测试条件：
400V，4A，50欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
LPDS
- 描述：
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XX |
25+ |
SMD |
54648 |
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询价 | ||
RGTE-24VU |
81 |
81 |
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ROHM/罗姆 |
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NA |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
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ROHM/罗姆 |
22+ |
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原装正品 |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
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ROHM Semiconductor |
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30 |
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