RGT8NS65DGTL_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-罗姆

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1+	¥12.21000

厂家型号：
RGT8NS65DGTL
制造商：
ROHM/罗姆
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-21 20:44:00

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原厂料号：RGT8NS65DGTL品牌：Rohm Semiconductor

资料说明：IGBT 650V 8A 65W TO-263S

RGT8NS65DGTL是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ROHM/罗姆生产封装TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB的RGT8NS65DGTL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
rgt8ns65dgtl
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ROHM【罗姆】详情
厂商全称：
Rohm Semiconductor
中文名称：
罗姆半导体集团
资料说明：
IGBT 650V 8A 65W TO-263S

产品属性

类型
描述
产品编号：
RGT8NS65DGTL
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，4A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/69ns
测试条件：
400V，4A，50欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
LPDS
描述：
IGBT 650V 8A 65W TO-263S

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RGT8NS65DGTL

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