RGT8BM65D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
RGT8BM65D |
| 参数属性 | RGT8BM65D 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 8A 62W TO-252 |
| 功能描述 | 短路耐量 5µs, 650V 4A,内置快速反向恢复二极管, TO-252, 沟槽式场截止型 IGBT |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | RGT8BM65D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RGT8BM65D规格书详情
描述 Description
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。
特性 Features
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：RGT8BM65D
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-252
- 包装数量
：2500
- 最小独立包装数量
：2500
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Series
：T: For inverter (tsc 5µs)
- VCES [V]
：650
- IC(100°C)[A]
：8
- VCE(sat) (Typ.) [V]
：1.65
- tf(Typ.) [ns]
：71
- tsc(Min.) [us]
：5
- Built-in Diode
：FRD
- Pd [W]
：62
- BVCES (Min.)[V]
：650
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：6.6x10 (t=2.2)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm(罗姆) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ROHM |
21+ |
2500 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | |||
ROHM Semiconductor |
23+ |
1715 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
ROHM |
24+ |
TO252 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
25+ |
TO-252-3 DPak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ROHM |
22+ |
TO252 |
8000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
TO252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ROHM |
25+ |
TO-252 |
20000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO252 |
17751 |
原装正品现货 |
询价 |
