RGT8BM65D中文资料短路耐量 5µs, 650V 4A,内置快速反向恢复二极管, TO-252, 沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书

描述 Description

罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

特性 Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

简介

RGT8BM65D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGT8BM65D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。