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RGT8BM65D	文件：300 bytes Page：1 Pages	短路耐量 5µs, 650V 4A,内置快速反向恢复二极管, TO-252, 沟槽式场截止型 IGBT 罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n2) Low Switching Loss\n3) Short Circuit Withstand Time 5us\n4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)\n5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RGT8BM65D	文件：705.99 Kbytes Page：12 Pages	650V 4A Field Stop Trench IGBT 文件：705.99 Kbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RGT8BM65DTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 8A 62W TO-252	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Series：
T
VCES [V]：
650
IC(100°C)[A]：
8
VCE(sat) (Typ.) [V]：
1.65
tf(Typ.) [ns]：
71
tsc(Min.) [us]：
5
Built-in Diode：
FRD
Pd [W]：
62
BVCES (Min.)[V]：
650
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
6.6x10 (t=2.2)

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更多RGT8BM65D供应商更新时间2025-12-11 16:59:00

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