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RGT8NS65D(LPDS)中文资料短路耐量 5µs, 650V 4A,内置快速反向恢复二极管, LPDS, 沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书
RGT8NS65D(LPDS)规格书详情
描述 Description
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。
特性 Features
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：RGT8NS65D(LPDS)
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：LPDS
- 包装数量
：1000
- 最小独立包装数量
：1000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Series
：T: For inverter (tsc 5µs)
- VCES [V]
：650
- IC(100°C)[A]
：4
- VCE(sat) (Typ.) [V]
：1.65
- tf(Typ.) [ns]
：71
- tsc(Min.) [us]
：5
- Built-in Diode
：FRD
- Pd [W]
：65
- BVCES (Min.)[V]
：650
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：10.1x13.1 (t=4.7)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XX |
25+ |
SMD |
54648 |
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询价 | ||
RGTE-24VU |
81 |
81 |
询价 | ||||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
TO263 |
860000 |
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ROHM/罗姆 |
22+ |
TO263 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
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